Domů
Produkty
Výrobci
O DiGi
Kontaktujte nás
Blogy a příspěvky
Žádost o cenovou nabídku / Nabídka
Czech
Přihlásit se
Výběrový jazyk
Aktuální jazyk dle vašeho výběru:
Czech
Přepnout:
Angličtina
Evropa
Spojené království
Francie
Španělsko
Turecko
Moldavsko
Litva
Norsko
Německo
Portugalsko
Slovensko
LTALY
Finsko
Ruština
Bulharsko
Dánsko
Estonsko
Polsko
Ukrajina
Slovinsko
Čeština
Řečtina
Chorvatsko
Izrael
Srbsko
Bělorusko
Nizozemsko
Švédsko
Černá Hora
Baskičtina
Island
Bosna
Maďarština
Rumunsko
Rakousko
Belgie
Irsko
Asie / Tichomoří
Čína
Vietnam
Indonésie
Thajsko
Laos
Filipínština
Malajsie
Korea
Japonsko
Hongkong
Tchaj-wan
Singapur
Pákistán
Saúdská Arábie
Katar
Kuvajt
Kambodža
Myanmar
Afrika, Indie a Střední východ
Spojené arabské emiráty
Tádžikistán
Madagaskar
Indie
Írán
DR Kongo
Jihoafrická republika
Egypt
Keňa
Tanzanie
Ghana
Senegal
Maroko
Tunisko
Jižní Amerika / Oceánie
Nový Zéland
Angola
Brazílie
Mosambik
Peru
Kolumbie
Chile
Venezuela
Ekvádor
Bolívie
Uruguay
Argentina
Paraguay
Austrálie
Severní Amerika
Spojené státy americké
Haiti
Kanada
Kostarika
Mexiko
O DiGi
O nás
O nás
Naše certifikace
DiGi Úvod
Proč DiGi
Politika
Kvalitní politika
Podmínky použití
Soulad s RoHS
Proces vrácení
Zdroje
Kategorie produktů
Výrobci
Blogy a příspěvky
Služby
Záruční doba kvality
Způsob platby
Globální zásilka
Ceny za přepravu
Časté dotazy
Číslo produktu výrobce:
IPD25CNE8N G
Product Overview
Výrobce:
Infineon Technologies
Číslo dílu:
IPD25CNE8N G-DG
Popis:
MOSFET N-CH 85V 35A TO252-3
Podrobný popis:
N-Channel 85 V 35A (Tc) 71W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Inventář:
Poptejte online
12805164
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
*
Společnost
*
Jméno kontaktu
*
Telefon
*
E-mail
Dodací adresa
Zpráva
h
y
Z
U
(
*
) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
IPD25CNE8N G Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
Infineon Technologies
Balení
-
Řada
OptiMOS™
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
85 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
35A (Tc)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
25mOhm @ 35A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 39µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
31 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
2070 pF @ 40 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
71W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček zařízení dodavatele
PG-TO252-3
Balení / pouzdro
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Základní číslo výrobku
IPD25C
Technický list a dokumenty
Technické listy
IPD25CNE8N G
HTML Datový list
IPD25CNE8N G-DG
Další informace
Standardní balíček
2,500
Další jména
SP000096457
IPD25CNE8N G-DG
IPD25CNE8NG
Klasifikace životního prostředí a exportu
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativní modely
ČÍSLO DÍLU
BUK9226-75A,118
VÝROBCE
Nexperia USA Inc.
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
7414
DiGi ČÍSLO DÍLU
BUK9226-75A,118-DG
CENY ZA JEDNOTKU
0.56
Druh náhrady
MFR Recommended
ČÍSLO DÍLU
SUD35N10-26P-GE3
VÝROBCE
Vishay Siliconix
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
1990
DiGi ČÍSLO DÍLU
SUD35N10-26P-GE3-DG
CENY ZA JEDNOTKU
0.82
Druh náhrady
MFR Recommended
ČÍSLO DÍLU
SQD40N10-25_GE3
VÝROBCE
Vishay Siliconix
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
3930
DiGi ČÍSLO DÍLU
SQD40N10-25_GE3-DG
CENY ZA JEDNOTKU
2.83
Druh náhrady
MFR Recommended
ČÍSLO DÍLU
AOD4126
VÝROBCE
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
6316
DiGi ČÍSLO DÍLU
AOD4126-DG
CENY ZA JEDNOTKU
0.35
Druh náhrady
MFR Recommended
DIGI Certifikace
Související produkty
IRF6626
MOSFET N-CH 30V 16A DIRECTFET
IRFR9024NTRRPBF
MOSFET P-CH 55V 11A DPAK
IRFHM9391TRPBF
MOSFET P-CH 30V 11A 8PQFN
IRF6608TR1
MOSFET N-CH 30V 13A DIRECTFET